第三代功率半導體

目前最具發展潛力的材料即為具備高功率及高頻率特性的寬禁帶（Wide Band Gap；WBG）半導體，包含碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），主要應用大宗為電動車、快充市場。據TrendForce集邦咨詢研究推估，第三代功率半導體產值將從2021年的9.8億，至2025年將成長至47.1億，年復合成長率達48%。

SiC適合高功率應用，如儲能、風電、光伏、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業。其中，電動車備受市場關注，不過目前市售電動車所搭載的功率半導體多數為硅基材料（Si base），如Si IGBT、Si MOSFET，但由于電動車電池動力系統逐步往800V以上的高電壓發展，相較于Si，SiC在高壓的系統中有更好的性能體現，有望逐步替代部分Si base設計，大幅提高汽車性能并優化整車架構，預估SiC功率半導體至2025年可達33.9億美元。

GaN適合高頻率應用，包括通訊裝置，以及用于手機、平板、筆電的快充。相較于傳統快充，GaN快充擁有更大的功率密度，故充電速度更快，且體積更小便于攜帶，吸引不少OEM、ODM業者加入而開始高速發展，預估GaN功率半導體至2025年可達13.2億美元。

相較傳統Si base，第三代功率半導體襯底制造難度較高且成本較為昂貴，目前在各大襯底供應商的開發下，包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等業者陸續擴增產能，并將在2022下半年量產8吋襯底，預期第三代功率半導體未來幾年產值仍有成長的空間。