共晶焊接技術誰懂_共晶焊接工藝 |
發布時間:2022-05-25 15:44:12 |
什么是LED共晶焊封裝工藝,有什么特點? 共晶焊接是微電子組裝中一種必然存在的生產環節,屬于重要生產工藝步驟之一。 字面解釋的話,就是使用合金(共晶)焊接封裝LED的意思。 在相對溫度較低的環境下,用兩種以上的金屬(比如金錫、金銀之類的)達到共晶物熔合的現象,這樣,將共晶從固態直接轉換成液態,無需經過塑性處理階段,是一種由一個液態樣同時生成兩種固態樣的平衡變化反應。 而LED共晶,則是指在LED采用共晶焊接的情況下,其晶粒底部由于使用純錫或金錫合金作接觸面鍍層時,使得晶粒能直接焊接于鍍有金或銀的基板上。 這樣,當基板被加熱至適合的共晶溫度時,金或銀元素滲透到金錫合金層,使合金層成份改變,最終提高其晶粒溶點,使共晶層成份產生變化的同時,將LED緊固的焊接于熱沉或基板上。
共晶焊接技術在電子封裝行業中廣泛應用,例如芯片和基板的粘接、基板和管外殼的粘接、管外殼等。共晶焊接與傳統的環氧導電性粘接劑相比,具有熱導率高、電阻小、傳熱快、可靠性高、粘接后剪切力大的優點,適用于高頻、大功率裝置中的芯片與基板、基板與管殼的相互連接。對于具有高散熱要求的功率器件,需要共晶焊接。共晶焊接使用共晶合金的特性完成焊接過程。 共晶爐與其他共晶器件的比較 除了共晶爐之外,實現共晶焊接的設備有具備吸附噴嘴和钚的共晶機、紅外再流焊接爐、箱式爐等。如果將這樣的設備共晶化,有以下問題。 (1)用大氣環境焊接的話,在共晶時容易產生空洞。 (2)使用箱式爐和紅外再流焊接爐進行共晶時,需要使用焊接劑,發生焊接劑的流動污染,清洗過程增加,如果不徹底清洗,電路的長期可靠性指標就會下降。 (3)鑷子共晶機對操作者的要求很高,很多工藝參數無法控制,不能任意設置溫度曲線,在進行多芯片共晶時,芯片反復受熱,焊接材料多次熔化,焊接面容易氧化,芯片位移,焊接區域的擴散面不規則嚴重影響芯片的壽命和性能。 共晶合金有以下特性。 (1)熔點比純組元低,簡化熔融過程。 (2)共晶合金比純金屬流動性更好,可以防止在凝固過程中阻礙液體流動的枝狀晶體的形成,進行改質 鑄造性能優良。 (3)恒溫轉移(無凝固溫度范圍)減少了偏重或縮孔等鑄造缺陷。 (4)共晶凝固可以得到各種形式的顯微組織,特別是規則排列的層狀或棒狀共晶組織,可以成為優秀性能的原位復合材料(in睦63;situ composite)。共晶是指共晶在相對較低的溫度共晶焊料下熔化的現象,共晶合金不經過塑性階段,從固體直接變化為液體。那個熔融溫度被稱為共晶溫度。 溫度控制過程曲線參數的建立 共晶焊接法被用于必須達到高頻、大功率電路或宇宙級要求的電路。焊接時的熱損失、熱應力、濕度、粒子和沖擊或振動是影響焊接效果的重要因素。熱損傷會影響膜設備的性能。濕度過高的話,有可能會引起粘著、磨損、附著現象。無效的熱部件會影響熱的傳導。共晶時最常見的問題是貝司HeaterBlock的溫度低于共晶溫度。在這種情況下,焊料可以熔化,但芯片背面的鍍層沒有足夠的溫度擴散,操作者很容易誤認為焊料是熔融的共晶。另一方面,發現底座長時間加熱會損傷電路金屬,共晶時的溫度和時間控制是重要的。出于以上原因,溫度曲線的設置是共晶好壞的重要因素。 由于共晶時所需的溫度較高,特別是用AuGe焊接材料共晶,要求基板及薄膜電路的耐高溫特性。電路要求能承受400℃的高溫,在該溫度下電阻和導電性不會發生變化。該共晶的一個關鍵因素是溫度,它不是單純地達到某個定價溫度,而是要經過一個溫度曲線的變化過程,在溫度的變化中具備處理抽真空、打氣、排氣等事件的能力。這些全部是共晶爐設備所具備的功能。多芯片共晶的溫度控制不同于單芯片共晶。在多芯片共晶的情況下,芯片材料不同,共晶焊料不同,所以共晶溫度有時不同。在這種情況下,需要使用樓梯共晶法。一般來說,相對于溫度高共晶焊料共晶,相對于共晶溫度低共晶焊料共晶。共晶爐控制系統可以設定多個溫度曲線,各溫度曲線可以設定9級,通過鏈路可以擴展到81級,在溫度曲線的運轉中可以增加充氣、抽真空、排氣等過程步驟。 空洞率的降低 共晶后,空腔率是重要的檢測指標,如何降低空腔率是共晶的重要技術??涨煌ǔS珊噶媳砻娴难趸?、粉塵微粒子、熔融時不排出的氣泡形成。由氧化物構成的膜阻礙金屬化表面的結合部的相互滲透,剩余的間隙在冷卻凝結后形成空洞。共晶焊接時形成的腔降低了元件的可靠性,擴大了IC斷裂的可能性,增加了元件的工作溫度,減弱了芯的粘貼能力。共晶后的焊接層中殘留的空洞影響接地效果和其他電氣性質。 去除空洞的主要方法如下。 (1)在共晶焊接前對器件和焊接材料的表面進行清掃,除去雜質。 (2)共晶時將加壓裝置放置在設備上,直接施加正壓。 (3)在真空環境下共晶。 實現多芯片的一次共晶 進行多芯片組件的共晶時,芯片尺寸變小,數量變多,因此必須使用特制的治具完成。這樣的治具不僅有固定芯片和焊接材料位置的功能,也有便于操作、耐高溫不變形的特性。部分芯片的尺寸在0.5mm2以下,定位不容易,人工配置不方便,因此共晶爐一般焊接1mm2以上的芯片。共晶時有氣流變化,為了防止芯片移動,需要用夾具定位。 治具除對加工精度的要求外,還需要耐高溫、不變形,物理化學性質不變,或其變化對共晶不產生不利影響,對共晶也有幫助。制造治具的材料必須易于加工。加工困難的話,對功能實現不利。石墨基本上安裝在以上要求中,共晶爐的治具一般選擇高純石墨,具有以下特征。 (1)高溫變形小,對設備的影響小。 (2)導熱性好,有利于熱的傳播,提高溫度的均勻性。 (3)化學穩定,長期使用不會變質。 (4)可塑性好,容易加工。 在一個氧化環境中,石墨中的碳形成CO和CO2背面。擦掉;擦掉;氧氣的優點。石墨是各向同性材料,顆粒在所有方向上均勻密集分布,受熱均勻。焊接元件固定在石墨上,熱量直接傳導,加熱均勻,焊接面平坦。 基板和軟管外殼的焊接 與芯片和基板的焊接技術一樣,基板和管殼的焊接也是共晶焊接的優秀應用領域。在這個過程中,必須注意空腔率符合國軍標GJB548-96A的要求,軍用產品可以控制在25%以下。由于基板一般比芯片尺寸大、材質厚、堅硬,對位置精度的要求低,所以可以用共晶爐更好地焊接。 密封工藝 設備蓋也是共晶爐的用途之一。通常,裝置的外殼是用陶瓷或可砍伐的材料鍍金鎳制成的。陶瓷包裝;在實際應用中,組裝容易,內部連接容易,成本低,因此成為最佳的封裝介質。陶瓷是一種堅硬的材料,可以承受接近硅材料熱膨脹系數的嚴格外部環境、高溫、機械沖擊和振動。這種器件的封裝可以采用共晶焊接法,該共晶焊接法在陶瓷腔的上部與蓋板進行共晶焊接,并具有密封環以獲得氣密和真空密封。金層一般需要1.5m,但由于過程處理和高溫燒結,空腔和密封圈需要電鍍2.5μ米的黃金,過剩的黃金被用來保護鎳的移動。鍍金可采伐的蓋板可以用作密封陶瓷管外殼的材料,一般在共晶前進行真空燒制。共晶爐也可以應用于鍍金芯片凸起再流球、共晶凸起焊接、光纖封裝等工藝。除了混合電路電子封裝之外,發光二極管行業也是共晶爐應用領域。 |