led深紫外線燈珠與普通紫外線燈的區別_led深紫外線燈珠 |
發布時間:2022-06-18 15:41:37 |
DUVled燈珠gt;DUVled燈珠原理及特性1、DUVled燈珠的發光機構:pN結的端電壓形成一定的屏障,施加正偏壓時屏障減少,p區域和N區域的大部分的載波相互分散。由于電子遷移率遠大于空穴遷移率,所以p區域出現大量電子分布,p區域形成少量載流子。這種電子與價帶上的空穴復合,并以光能發射合成后的能量。也就是pN接合發光原理。DUVled燈珠線光源硬化裝置DUV信標線光源硬化裝置2、DUV信標發光功率:通常稱為組件的外部量子功率,是組件內部的量子功率和組合件取出功率的積。我們所說的組件的內部量子功率本來是組件本身的光電轉換功率,首先涉及組件本身的特性(帶,缺陷,雜質等),以及組件本身的屏障結構和結構等。然而,組合件提取能量是指在組合件內部產生的光子,并且指的是通過組合件本身的吸收、折射和反射在組合件外部實際操作中可測量的光子數。因此,作為對取出功率的影響因素,可以列舉元件自身的吸收率、元件的幾何結構、元件與封裝元件的折射率差、元件結構的散射特性等。這里,內部量子功率是組件取力的乘積,即整個組件發射的部分,即組件外部的量子功率。在前期組件的集成過程中,為了提高其內部量子功率,首先有一種方法是通過提高屏障質量和可變結構的變化,使電能難以轉化為熱能,進而直接提高深紫外led燈珠的發光功率,然后提高70%的理論內部量子功率,這種內部量子功率現在接近理論極限。這樣做的話,只靠進步元件的內部量子功率是不可能提高元件的總光量的,因此進步元件的取出光能成為最重要的研究課題。目前最主要的方法是改變作為顆粒的外部形狀的TIp結構并改變表面粗糙度。 3.深紫外led燈珠電特性:電流控制型裝置,負荷特性與pN結的UI曲線相似,導通電壓的極小變化帶來正向電流(指數級)的顯著變化,反向泄漏電流小,也有反向破壞電壓。需要選擇適合實際使用的方法。深紫外led燈珠的正向電壓隨著溫度的增加而減小,溫度系數為負。深顏色的紫外線led燈珠需要消耗電力,部分地轉換成光能。剩余部分轉化為熱能,增加了接合溫度??梢杂梅懦龅臒幔üβ剩﹣肀硎?。4.深紫外led燈珠的光學特性:深紫外led燈珠由于半導體的能隙隨著溫度的上升而減少,所以其發光峰值波長隨著溫度的上升而增加,即提供光譜紅移,溫度系數為+2~3A/。深顏色的紫外LED珠的亮度L根據正向電流而變化。通過增加電流,可以近似地提高發光亮度。環境溫度越高,復合功率越低,發光強度越低,其他發光亮度也越低。深紫外led燈珠熱特性:電流小,溫度上升不顯著。環境溫度高時,深紫外發光珠的主波長紅移,亮度降低,發光均勻性降低,一致性變差。特殊點矩陣、大屏幕溫度上升對LED的可靠性和穩定性有很大影響。因此,散熱設計很重要。六、深紫外led燈珠壽命:深紫外led燈珠的長期動作導致光衰減老化,特別是大功率深紫外led燈珠的光衰減問題更嚴重。在測量深紫外線led燈珠的壽命的情況下,光將燈泡的損傷程度作為深紫外線led燈珠的壽命的結束值是不夠的,應該用深紫外線led燈珠的衰減率來表示LED的壽命,例如35%是合理的。高功率深紫外發光二極管封裝:首先考慮散熱和發射。在散熱方面,采用銅基散熱襯里,與鋁基散熱器連接,在微粒和熱襯里之間采用錫片焊接,這種散熱方式效果更好,性價比更高。在出射面選擇芯片跳躍技術,在底面和側面增加反射面使之反射光能源,能得到更多的消除光。 |